新的研究让摩尔定律到2020年还成立
很多制造业专家都认为，22nm将是硅材料芯片的最小制程，这样IT界的摩尔定律也将失效。虽然越小的制程能降低芯片功耗同时提高芯片性能，但是它也会来带更低的信噪比，所以人们只能转向别的材料。来自英国国家实验室的研究员称，他们已经找到新的材料能让摩尔定律在22nm制程之后继续成立直到2020年。
NPL的研究人员们提出了一种掺杂锰(Mn)的锗(Ge)衬底，具体说来就是首先制造锗纳米线，然后通过锰人工为其增加磁性。NPL的报告称，这种磁效应的属性使其有潜力作为电子元件的基础，包括超过300K的铁磁性、大约340cm2/Vs的空穴迁移率和其他工业相关参数。
锗在当今的超高端应用中相当常见，与硅混合大量出现在光纤、红外线光学、太阳能电池等技术中，Intel的45nm工艺也引入了这种金属，不过其缺点是易碎，因而大批量生产或者增大体积比较困难。
NPL高级科学家Olga Kazakova博士表示：“(锰锗)这种方案不仅是原料方面的变化，也改变了晶体管的结构。……锗和硅的亲和性很好，这就意味着它能很轻松地应用在现有硅电子技术中，同时无需大规模重新设计。这种基于NPL锗纳米线技术制造的晶体管预计能在10年后实现，有望带来一场计算和电子元件的革命。”
相关技术论文会发表在《纳米时报》(Nano Letters)上。
NPL的研究人员们提出了一种掺杂锰(Mn)的锗(Ge)衬底，具体说来就是首先制造锗纳米线，然后通过锰人工为其增加磁性。NPL的报告称，这种磁效应的属性使其有潜力作为电子元件的基础，包括超过300K的铁磁性、大约340cm2/Vs的空穴迁移率和其他工业相关参数。
锗在当今的超高端应用中相当常见，与硅混合大量出现在光纤、红外线光学、太阳能电池等技术中，Intel的45nm工艺也引入了这种金属，不过其缺点是易碎，因而大批量生产或者增大体积比较困难。
NPL高级科学家Olga Kazakova博士表示：“(锰锗)这种方案不仅是原料方面的变化，也改变了晶体管的结构。……锗和硅的亲和性很好，这就意味着它能很轻松地应用在现有硅电子技术中，同时无需大规模重新设计。这种基于NPL锗纳米线技术制造的晶体管预计能在10年后实现，有望带来一场计算和电子元件的革命。”
相关技术论文会发表在《纳米时报》(Nano Letters)上。
